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簡要描述：對中控制板 檢測器附件 EVK2.11.3 德國EMG光電探測器能把光信號轉(zhuǎn)換為電信號。根據(jù)器件對輻射響應的方式不同或者說器件工作的機理不同，光電探測器可分為兩大類：一類是光子探測器；另一類是熱探測器。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2024-08-12訪 問 量：636| 品牌 | 其他品牌 | 材質(zhì) | 其他 |
|---|---|---|---|
| 驅(qū)動方式 | 其他 |
光發(fā)射機由輸入接口、光源、驅(qū)動電路、監(jiān)控電路、控制電路等構(gòu)成，其核心是光源及驅(qū)動電路。在數(shù)字通信中，輸入電路將輸入的信號（如PCM脈沖）進行整形，變換成適于線路傳送的碼型后通過驅(qū)動電路光源，或者送到光調(diào)制器調(diào)制光源輸出的連續(xù)光波。為了穩(wěn)定輸出的平均光功率和工作溫度，通常要設(shè)置一個自動的溫度控制及功率控制電路。
調(diào)制方式通常分為兩大類，即模擬調(diào)制和數(shù)字調(diào)制。
EMG LIC1075/11光源發(fā)射器
EMG 對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源發(fā)射器
EMG LIC770/01 光源發(fā)射器
EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器
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EMG LID2-800.32C 對中光源發(fā)射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
EMG SV1-10/32/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/8/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/16/120/6 伺服閥
EMG SV1-10/48/315-6 伺服閥
EMG SV1-10/4/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/4/100/6伺服閥
EMG SV1-10/8/100/6伺服閥
EMG SV1-10/16/100/6 伺服閥
EMG 伺服閥 SV1-10/8/100-6
EMG 伺服閥 SV1-10/16/315/6
EMG傳感器CCD pro-5000
EMG SV1-10/16/315/8 伺服閥
EMG SV1-10/16/315/6伺服閥
SMI-HR/500/2400/1700/200/A/傳感器
伺服閥 CPSV-F040-LTQ-10/7P
傳感器 SMI 1-53
BMI4/60/80 傳感器
EMG SV1-10/48/315/6伺服閥
EMG SV1-10/32/100/6伺服閥
EMG傳感器 BMI4/60/80/L/S.723
EMG傳感器 BMI4/60/80/R/S.723
固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。
photoconductive detector 利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導探測器在軍事和國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于D彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。
EMG LS13.01測量光電傳感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器
EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG
LS14.01 EMG 測量光電傳感器
EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
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EMG LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器
EMG LID2-300.2C 對中光源發(fā)射器
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EMG LLS 875/02 線性光源發(fā)射器
EMG LLS 675/01 線性光源發(fā)射器
EMG 線性光源發(fā)射器 LLS875/01
EMG對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 線性光源發(fā)射器
EMG LIC1075/11光源發(fā)射器
EMG 對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
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EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年，英國W·史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到二十世紀50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。二十世紀60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。 工作原理和特性 光電導效應是內(nèi)光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠?qū)?/span>價帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產(chǎn)生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。
工作溫度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K；本征吸收系數(shù)大,樣品尺寸?。灰子谥圃於嘣骷?。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。
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