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簡(jiǎn)要描述：LID2-800.2C EMG德國(guó) 高頻光源發(fā)射器 現(xiàn)貨光電探測(cè)器能把光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。根據(jù)器件對(duì)輻射響應(yīng)的方式不同或者說(shuō)器件工作的機(jī)理不同，光電探測(cè)器可分為兩大類(lèi)：一類(lèi)是光子探測(cè)器；另一類(lèi)是熱探測(cè)器。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2024-08-12訪 問(wèn) 量：619| 品牌 | 其他品牌 | 材質(zhì) | 其他 |
|---|---|---|---|
| 驅(qū)動(dòng)方式 | 其他 |
光發(fā)射機(jī)由輸入接口、光源、驅(qū)動(dòng)電路、監(jiān)控電路、控制電路等構(gòu)成，其核心是光源及驅(qū)動(dòng)電路。在數(shù)字通信中，輸入電路將輸入的信號(hào)（如PCM脈沖）進(jìn)行整形，變換成適于線路傳送的碼型后通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路光源，或者送到光調(diào)制器調(diào)制光源輸出的連續(xù)光波。為了穩(wěn)定輸出的平均光功率和工作溫度，通常要設(shè)置一個(gè)自動(dòng)的溫度控制及功率控制電路。
調(diào)制方式通常分為兩大類(lèi)，即模擬調(diào)制和數(shù)字調(diào)制。
EMG LIC1075/11光源發(fā)射器
EMG 對(duì)中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EPC測(cè)量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源發(fā)射器
EMG LIC770/01 光源發(fā)射器
EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器
EMG LIC770/11 CPC高頻光源
EMG LID2-800.32C 對(duì)中光源發(fā)射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
EMG SV1-10/32/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/8/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/16/120/6 伺服閥
EMG SV1-10/48/315-6 伺服閥
EMG SV1-10/4/315/6 伺服閥
EMG SV1-10/4/100/6伺服閥
EMG SV1-10/8/100/6伺服閥
EMG SV1-10/16/100/6 伺服閥
EMG 伺服閥 SV1-10/8/100-6
EMG 伺服閥 SV1-10/16/315/6
EMG傳感器CCD pro-5000
EMG SV1-10/16/315/8 伺服閥
EMG SV1-10/16/315/6伺服閥
SMI-HR/500/2400/1700/200/A/傳感器
伺服閥 CPSV-F040-LTQ-10/7P
傳感器 SMI 1-53
BMI4/60/80 傳感器
EMG SV1-10/48/315/6伺服閥
EMG SV1-10/32/100/6伺服閥
EMG傳感器 BMI4/60/80/L/S.723
EMG傳感器 BMI4/60/80/R/S.723
固體光電探測(cè)器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有最大光敏面積的器件，它除用做探測(cè)器件外，還可作太陽(yáng)能變換器；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快、可靠性高，而且在可見(jiàn)光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用。硅雪崩管由于增益高、響應(yīng)快、噪聲小，因而在激光測(cè)距與光纖通信中普遍采用。
photoconductive detector 利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測(cè)器件。所謂光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導(dǎo)探測(cè)器在軍事和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于D彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。
EMG LS13.01測(cè)量光電傳感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器
EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG
LS14.01 EMG 測(cè)量光電傳感器
EMG光電式測(cè)量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高頻報(bào)警光發(fā)射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 對(duì)中光源發(fā)射器
EMG LID2-300.2C 對(duì)中光源發(fā)射器
EMG LLS 1075 線性光源發(fā)射器
EMG LLS 1075/01 線性光源發(fā)射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 線性光源發(fā)射器
EMG LLS 675/01 線性光源發(fā)射器
EMG 線性光源發(fā)射器 LLS875/01
EMG對(duì)中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 線性光源發(fā)射器
EMG LIC1075/11光源發(fā)射器
EMG 對(duì)中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EPC測(cè)量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源發(fā)射器
EMG LIC770/01 光源發(fā)射器
EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器
EMG LIC770/11 CPC高頻光源
EMG LID2-800.32C 對(duì)中光源發(fā)射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年，英國(guó)W·史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng)，但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見(jiàn)光波段方面，到二十世紀(jì)50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用。二十世紀(jì)60年代初，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器。二十世紀(jì)60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。 工作原理和特性 光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí)，光子能夠?qū)?/span>價(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長(zhǎng)波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長(zhǎng)波限受禁帶寬度的限制。
工作溫度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K；本征吸收系數(shù)大,樣品尺寸??；易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導(dǎo)體材料的Eg、Ei和λc值。
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